Udělej si sám ULC na tranzistorech s efektem pole. Nejjednodušší nízkofrekvenční zesilovač na tranzistorech

Zesilovače na tranzistorech s efektem pole (FET) vytvářejí velkou vstupní podporu. Vezměte v úvahu, že takové zesilovače fungují jako první kaskády dopředných zesilovačů, které zvyšují stálý tok vibračních a jiných radioelektronických zařízení.
Zpřísnění prvních kaskád zesilovačů s velkou vstupní podporou umožňuje přizpůsobit signál s velkou vnitřní podporou s dalšími zesílenými kaskádami zesilovačů, které rozkmitají malou vstupní podporu. Výkonové kaskády na tranzistorech s efektem pole se nejčastěji zapojují do obvodu s vláknitým jádrem.

Protože posuvné napětí mezi hradlem a závitem je rovno nule, je tichý režim tranzistoru VT charakterizován polohou bodu A na charakteristice zásobníku-hradla při U ZI = 0 (obr. 15, b).
V tomto případě, při vstupu střídavého harmonického (nebo sinusového) napětí U 3 s amplitudou U m3, se kladné a záporné napětí zvýší odlišně: se záporným vstupním napětím U 3 se amplituda výměnného akumulačního toku drain I " mc bude větší, nižší s kladným dopředným tokem (I"" mc), protože strmost charakteristiky odvodňovací brány na úseku AB je větší než strmost na úseku AC: V důsledku toho se tvar výměnného zásobního průtoku odtoku a průtoku jím vytvořeného střídavé napětí na požadovaném U se budou napětí měnit podle tvaru vstupního napětí, aby se zabránilo generování signálu.
Pro změnu odporu signálu při jeho zesílení je nutné zajistit provoz tranzistoru s efektem pole při konstantní strmosti jeho charakteristiky drain-gate, aby došlo k lineární expanzi této charakteristiky.
Při této metodě zapněte odpor Ri (obr. 16, a).

Protékání průtokovým rezistorem I C0 vytváří nové napětí
U Rі =I С0 Rі, která se aplikuje mezi zatáčkou a závěrkou, včetně EDP, mezi oblastmi závěrky a zatáčky, ve směru návratu. To vede ke změně toku proudu a robotický režim je v tomto případě charakterizován bodem A“ (obr. 16, b).

Aby nedošlo ke změně faktoru zesílení, připojte vysokokapacitní kondenzátor C paralelně k rezistoru Ri, který absorbuje negativní zpětnou vazbu. proměnlivý proud, které vzniká proměnným napětím na rezistoru Ri. V režimu, který je charakterizován bodem A, se strmost charakteristiky drain-gate se zvýšeným střídavým napětím stává přibližně stejnou se zvýšeným kladným a záporným směrem vstupního napětí, v důsledku čehož se signály, které se domnívají, že jsou nevýznamné.
(Divize A "B" a A "C" jsou přibližně stejné).
Pokud je v tichém režimu napětí mezi hradlem a závitem U ZIO a průtok do odtoku je I C0, který protéká PT, pak lze odpor odporu Ri (v ohmech) vypočítat pomocí vzorce :
Ri = 1000 U ЗІО / I С0,
V každém odtoku proudu je I C0 uváděn v miliampérech.
Zesilovací obvod znázorněný na obr. 15 má vikoryst s keramickým p-n přechodem a kanálem typu p. Pokud je k PT připojen podobný tranzistor, ale s kanálem typu n, obvod se nezmění a změní se polarita připojení záchranného zařízení.
Ještě větší vstupní signál poskytují zesilovače a oscilátory na polních MOS tranzistorech s indukovaným nebo buzeným kanálem. Při stálém proudu může vstupní podpora takových zesilovačů překročit 100 MOhm. Protože napětí jejich hradla a kolektoru mají stejnou polaritu, pro zajištění potřebného předpětí v hradle lancety můžete vikorizovat živé napětí G C tím, že jej připojíte k rozbočovači napětí připojenému na vstup tranzistoru v tímto způsobem je k znázorněno na obr. 17.

Doplňování z uhelné drenáže

Přídavný okruh pro PT s požárním odvodem je podobný jako přídavný okruh s požárním sběračem. Obr. 18a ukazuje schéma zesilovače z uhlíkového kolektoru do PT s keramickým p-n přechodem a kanálem typu p.

Rezistor Ri se zapne při otočení přívodní trubky a řada přímých spojení se záporným pólem je životně důležitá. Tok, který leží pod vstupním napětím, je vytvořen úbytkem napětí na rezistoru Ri. Činnost kaskády je vysvětlena pomocí grafů na obr. 18b, když má vstupní napětí sinusový tvar. Na výstupní stanici protéká tranzistorem proud do kolektoru I C0, který vytváří na rezistoru Rі napětí U I0 (U VIX0). Prodloužením kladného směru vstupního napětí se zvyšuje předpětí mezi hradlem a závitem, což vede ke změně průtoku drainu a absolutní hodnoty napětí na rezistoru Ri. Při záporném vstupním napětí se však mění předpětí brány, napětí kolektoru a absolutní hodnota napětí na rezistoru Ri se zvyšuje. Dědictví výstupní napětí, který je odebrán z rezistoru Ri, pak z PT cívky (obr. 18, b), má stejný tvar jako vstupní napětí.
V souvislosti s těmito boostery z uhelného svodu se jim říkalo turn repeatery (napětí opakuje vstupní napětí v závitu za tvarem a hodnotami).

Vysoce kyselý ultrazvukový sirén na tranzistorech s efektem pole s kompenzační vazbou

Dnes je důležité povzbudit milovníky vysoce kvalitních zvukových kreací a konstruktéry páječek, kteří dokážou pracovat ve svých rukou s výkonem na tranzistorech s efektem pole. Většina těchto zařízení, založených na nejjasnějších světelných vzorech, je založena na tradičním zapojení s diferenciálním vstupním stupněm a bez jakýchkoliv přídavných prvků, které se nezúčastňují zesíleného signálu, jinak cítí časovou a teplotní stabilitu. Tradiční obvodová řešení se nezměnila kvůli skutečnosti, že výstupní kaskády mají vysokonapěťové komplementární tranzistory s různými typy kanálové vodivosti.

V důsledku aktivního tvůrčího zkoumání a jasné identifikace četných dominantních stereotypních schematických řešení jsem byl schopen vytvořit svůj výkonný originální prototyp boosteru, který může minimální pevnost elektronické součástky a mají vysokou stabilitu, spolehlivost a vysoké technické vlastnosti, které uspokojí vkus nejzkušenějších hudebních labužníků.

Hlavní parametry boosteru s podporou 8 Ohm jsou uvedeny v tabulce.

Parametr	Význam
Poměr napětí
Maximální výstupní napětí
Rychlost nárůstu výstupního napětí
Rozsah dostupných frekvencí		20 – 3 0000
Nestabilita středu
Výstupní napětí šumu
Koeficient nelineárních reakcí

Při vývoji výztuže byla zvláštní pozornost věnována přehledným displejům, maximální účinnosti a minimálnímu počtu různých dílů, což umožnilo zcela zvýšit její spolehlivost a snadnost opakování. Zajištěna byla i dostupnost a dostupnost dílů na obchodní hranici, což výrazně omezilo spolupráci agenta.

Booster (obvod zařízení) se skládá ze vstupního stupně využívajícího nízkonapěťové tranzistory s efektem pole jiný typ vodivost VT1 a VT2 připojených za obvod od zemní cívky, která je ovlivněna odpory R2 a R3. Rezistor R1 spojuje hradlo těchto tranzistorů se zemí a určuje vstupní podporu boosteru a spolu se vstupním kondenzátorem samostatného C1 nastavuje jeho frekvenční charakteristiku v nízkofrekvenční oblasti zvukového spektra. Tranzistory VT3 a VT4 jsou zapojeny za obvod ze zemních bází, na kterých je napětí nastaveno zenerovými diodami VD1 a VD2 a zajišťují oddělení vstupních tranzistorů z výměnného úložiště na jejich výstupní signál a zároveň snižují konstantu tlak života na jejich odtoky. Tranzistory VT5 a VT6 jsou zapojeny za obvod od zemního kolektoru, jejich přechody báze-éter jsou předpětí pro tranzistory VT1 a VT2 a zm. ustálené napětí na bázích připojených přes odpory R7 a R10 k výstupu boosteru kompenzuje zvýšenou viditelnost středního bodu a zvýšený tok klidu. Pokles konstantního napětí na rezistorech R2 a R3 zvyšuje napětí výstupních tranzistorů VT7 a VT8 o velikost počátečního toku proudu (tichý tok), což znamená, že zesilovač je ve třídě AB.

Schéma boosteru funguje tímto způsobem. Kladný vstupní signál prochází kondenzátorem C1 do brány tranzistoru VT1 a způsobuje zvýšení toku jeho kolektoru, což má za následek zvýšení poklesu napětí na rezistoru R2, což vede ke zvýšení tranzistoru VT7 a vzhledu pozitivní odezva na signál na výstupu boosteru. Prostřednictvím regulátoru napětí na prvcích R7, C2, R8, který nastavuje koeficient zesílení každého zesilovače, a externího zesilovače na tranzistoru VT5 je část výstupního signálu přiváděna do jádra tranzistoru VT1, který působí jako záporný zpětný signál a jazyk, který kompenzuje nelineární stres nervového systému a stabilizuje brnkání s klidem v tomto středu. Zesílení záporného napětí vstupního signálu a stabilizace parametrů je dosaženo obdobným způsobem ve spodní, symetrické horní polovině obvodu. Rezistory R4 a R5 spolu se vstupními kapacitami tranzistorů VT7 a VT8 vytvářejí dolnopropustné filtry, které propojují přenos boosteru a potlačují jeho samobuzení.

Montáž výztuže se provádí na oboustrannou foliovou desku o rozměru 115 - 63 mm a tloušťce 2 - 3 mm. Níže je zobrazena malá dřevěná deska na straně kolejí.

Účinnost boosteru je snížena na instalaci nastavovacích odporů R2 a R3, průtok výstupními tranzistory a také nulové napětí na výstupu boosteru (střední bod). Za tímto účelem jsou ve střední poloze instalovány odpory R2 a R3, výstup boosteru je připojen k fritéze nízké intenzity s napětím 24V a je přivedeno živé napětí. Není to vaše chyba, že se lampa rozsvítí, natož správná instalace a správné díly. Střídavým a plynulým obalením nastavovacích odporů, jak se jejich hodnota zvyšuje, se pokouší objevit tok přes tranzistory VT7 a VT8, které lze monitorovat digitálním milivoltmetrem na poklesy napětí na rezistorech R11 nebo R12. Hodnoty napětí se pohybují v rozmezí 15 – 20 mV, což udává klidový proud 75 – 100 mA. Pokud je střední bod na výstupu boosteru posunut na kladné straně, je instalován ladícím odporem R2, pokud je posunut v záporném mínusu, je instalován s ladícím rezistorem R3. Opět zkontrolujte tichost výstupních tranzistorů a podle potřeby operaci opakujte.

Posilovač si udržuje svou účinnost při napájecím napětí ±15 až ±30 Voltů. Dále je nutné instalovat napájecí zdroj na zdroj minimálně 5 A, zenerovy diody VD 1 a VD 2 na napětí rovné polovině živého, kondenzátory C5 a C6 na hlavní vedení. pracovní napětí a při nepřetržitém provozu zesilovače pro maximální výkon zvyšte napětí rezistorů R11 a R12 na 5 Wattů.

Vstupní tranzistory VT1 a VT2 mají na svědomí stejné nebo blízké toky kakaa do odtoku IDSS. Výstupní tranzistory VT7 a VT8 musí být vybrány z blízkého napájení kanálu VGS(to), u kterého lze typ tranzistorů nastavit na 3 až 4 Volty. Nákupem, kontaktováním prodejce a jednoduchými svépomocnými a komerčními zařízeními můžete bez problémů vydělat peníze. Pečlivě zvažte typy tranzistorů uvedené na schématu, musí být instalovány na radiátorech, které vykazují značné napětí prostřednictvím speciálních izolačních těsnění. Rezistory R2 a R3 jsou vysokootáčivé přesné typy SP3-39A, SP5-2 nebo podobné. Elektrolytické kondenzátory C2 a C3 jsou nepolárního typu s vikoristanem pulzní blokŽivotnost kondenzátorů C5 a C6 by měla být zkrácena s neindukčními kondenzátory s kapacitou 0,1 - 1,0 µF. Rezistory R11 a R12 jsou typu Fuse, které se při přestavbě odpojí.

Jedním z hlavních rysů zesilovacího obvodu je to, že výstupní signál, zesílený napěťovými tranzistory, je odebírán z jejich kolektorů, spíše než aby byl chráněn elektrodami. To umožnilo výrazně omezit specifické problémy způsobené přílivem anti-EPC kmitací cívky Hutch-nomianovy zvukové cívky na výstupní tranzistory, protože signál je odebírán z jejich závitů nebo emitorů. Tento princip fungování se tedy vyrovná elektronkovému, ale výrazně ho předčí hospodárností, šířkou frekvencí, rychlostí a spolehlivostí, aniž by se musel obávat problémů a výdajů na komponenty.

Důležitá síla tranzistorů s efektem pole spočívá v tom, že při přehřátí se změní vodivost kanálu, charakteristická křivka a průtok se zřejmě sníží, což je automaticky chrání před tepelným průrazem. Další výkon tranzistorů s efektem pole umístěných na výstupním stupni zesilovače je jejich kvadratická přechodová charakteristika, která se přizpůsobuje změně nelineárních efektů při vysokých úrovních výstupního napětí. Čím větší je průtok tranzistory VT7 a VT8, tím větší jsou jejich strmostní charakteristiky a koeficient zesílení, a tím se projevuje negativní zpětná vazba.

Když je booster zapnutý, dokud není dosaženo poloviny napětí, zenerovy diody VD1 a VD2 na kondenzátorech C5 a C6 jsou uzavřeny a současně všechny tranzistory, které jsou vybíjeny hladce a současně v obou polovinách obvodu , což je zcela typické pro mnoho podobných návrhů Bavovna je v Guchnomovtsa nepřijatelná. Z těchto důvodů bych chtěl zdůraznit, že není nebezpečné mít během hodiny práce v plném stresu nouzový vypínač a zapínat doživotní napětí.

Byl testován s robotem s různými signálními houkačkami, pro různé teploty při vysokých teplotách a prokázal svou vysokou spolehlivost, vynikající výkon a dynamické vlastnosti a je doporučen pro opakování milovníkům vysoce kvalitní domácí nebo profesionální zvukové tvorby. Blok pro nastavení výšky tónu, témbrů a vyvážení lze nalézt v obvodu zobrazeném na webové stránce http://cxem.net/sound/tembrs/tembr14.php pomocí specializovaných mikroobvodů TDA1524A. V případě potřeby můžete také přidat zesílení signálu mikrofonu připojeného k jakémukoli jinému obvodu. Přetváření dílů na desce boosteru je znázorněno níže.

Můžete zvýšit linearitu zesilovače a dále snížit koeficient nelineární odezvy připojením dvou výstupních tranzistorů paralelně na rameni kůže a nastavením (úpravou jmenovité hodnoty) jednoho z rezistorů R 8 nebo R 9 v přívodním potrubí volání zvonu. Odstraněním přechodového kondenzátoru C 1 lze obvod přeměnit na spojitý lineární zesilovač pro automatizační systémy, telemechaniku a řízení.

Jurko Strelkov-Serga
klimatizace 5000 Vinnycja-18
[e-mail chráněný]

Technická charakteristika
Maximální střední kvadratické napětí:
při RH = 4 Ohm, W 60
při RH = 8 Ohm, W 32
Provozní frekvenční rozsah. Hz 15...100 000
Koeficient nelineárních reakcí:
při f = 1 kHz, Rvih = 60 W, RH = 4 Ohm, % 0,15
při f = 1 kHz, Rvih = 32 W, RH = 8 Ohm, % 0,08
Koeficient zesílení, dB 25...40
Vstupní impedance, com 47

Nastavení

Je nepravděpodobné, že by pro kteréhokoli experimentátora bylo obtížné dosáhnout uspokojivých výsledků, pokud ho bude povzbuzovat k dodržování tohoto schématu. Hlavní problémy, o kterých je třeba diskutovat, jsou nesprávná instalace prvků a poškození MOS tranzistorů při jejich nesprávném buzení nebo při poškození obvodů. Jako preventivní opatření pro experimentátora je demonstrován nadcházející přenos kontrolních kontrol k detekci poruch:
1. Před složením dvojité desky nainstalujte pasivní prvky a přepněte je na správnou polaritu elektrolytických kondenzátorů. Poté nainstalujte tranzistory VT1...VT4. Rozhodnu se, nainstaluji tranzistory MOS, vyvaruji se statického náboje, okamžitě přepnu a připojím páječku k zemi a uzemním páječku. Zkontrolujte vybranou desku a ujistěte se, že jsou prvky nainstalovány správně. Za tímto účelem bude nutné natřít prvky, znázorněné na Obr. 2 Otočte ostatní desky, abyste se ujistili, že jsou dráhy zkratovány pájkou, a pokud zapáchají, odstraňte je. Vizuálně a elektricky obraťte pájené spoje pomocí multimetru a v případě potřeby znovu zkontrolujte.
2. Nyní může být na booster přivedeno živé napětí a výstupní kaskáda může být nastavena na tichý režim (50...100 mA). Potenciometr R12 je zpočátku instalován za minimální hladinou hluku (až do bodu proti šipce roku na topologii desky na obr. 2). Kladný napěťový spínač zapíná ampérmetr s limitem 1 A. Cívky motorového rezistoru R12 mají odečítat ampérmetr 50...100 mA. Nainstalovanou strumu lze klidně dokončit i bez připojení zařízení. Vzhledem k tomu, že hlavní dynamika inkluzí v okruhu je vinna krádeží cizincem v důsledku opětovné implementace stálý proud. Při instalaci napájecího zdroje je očekávaná hodnota výstupního napětí menší než 100 mV.

Hlášení a neopatrné změny toku klidu při seřizování R12 indikují vadné generování v obvodu nebo nesprávně připojené prvky. Dodržujte výše popsaná doporučení (důsledné zapínání rezistorů na tyčích hradla, minimalizace vyčerpání připojovacích vodičů, zemnící uzemnění). Kromě toho jsou oddělovací kondenzátory přísně instalovány velmi blízko výstupní kaskády zesilovače a zemnícího bodu. Aby nedošlo k přehřátí lisování tranzistorů Regulace toku pravděpodobně selže při instalaci na tranzistory MOS s tepelným vodičem.
3. Po instalaci strumu lze ampérmetr vyjmout
z kopí pozitivního života a u vstupu příznivce můžete
byl vydán provozní signál. Množství vstupního signálu potřebného k získání nového jmenovitého napětí může nastat:
UBX = 150 mV (RH = 4 Ohm, Ki = 100);
UBX = 160 mV (RH = 8 Ohm, Ki = 100);
UBX = 770 mV (RH = 4 Ohm, Ki = 20);
UBX = 800 mV (RH = 8 Ohm, Ki = 20).
„Namáhání“ na špičkách výstupního signálu během provozu při jmenovitém napětí ukazuje na špatnou stabilizaci napětí a může být korigováno snížením amplitudy vstupního signálu a změnami nominálních charakteristik napětí Silyuvacha.
Amplitudo-frekvenční charakteristiku boosteru lze ověřit ve frekvenčním rozsahu 15 Hz... 100 kHz pomocí doplňkové sady pro testování zvuku nebo generátoru či oscilografu. Přítomnost výstupního signálu na vysokých frekvencích ukazuje na reaktivní charakter aktivace a aktualizace tvaru signálu, je nutné zvolit hodnotu indukčnosti výstupní tlumivky L1. Amplitudo-frekvenční odezvu na vysokých frekvencích lze upravit pomocí přídavného kompenzačního kondenzátoru připojeného paralelně k R6. Nízkofrekvenční část amplitudově-frekvenční charakteristiky se nastavuje prvky R7, C2.
4. Přítomnost pozadí (brumu) se s největší pravděpodobností nachází v obvodu
když je tlak nastaven příliš vysoko. Míří na vchod s vysokým
Impedance je minimalizována stíněním
kabel uzemněný k signálu. Nízkofrekvenční pulzace života, které se ze života ztrácejí ve vstupní fázi
dodatečně je lze doplnit kondenzátorem SZ. Dodatkov
útlum pozadí se provádí diferenciální kaskádou
na tranzistorech napájení VT1, VT2. Protože však hlavním pozadím je vitální napětí, můžete upravit hodnotu SZ, R5 pro potlačení amplitudy pulsace.
5. Na výstupu z pražce tranzistorů koncového stupně skrz krátký třpyt V každém případě nebo prostřednictvím vysokofrekvenčního generování je nutné vyměnit vadný tranzistor MOS, v takovém případě je nepravděpodobné, že by ostatní prvky vyšly v harmonii. Při instalaci nových zařízení je nutné postup nastavení opakovat.

Schéma obytného bloku

Nejkrásnější návrhy "Radioamator" vydání 2

Schéma suplementace se změnami:

Toto zařízení umožňuje připojit ke zvukové kartě počítače dynamický mikrofon, elektrickou kytaru a další signální zařízení s podporou vysokého výstupu. Zařízení by nemělo vnášet frekvenční rušení do audiofrekvenčního rozsahu, stejně jako rušení spojené s nelinearitou napájení, které je způsobeno obvodem opakovače.

Jinými slovy, pokud chcete trochu čistoty zvuku, který se nahrává, máte špatnou zvukovou kartu a drahý mikrofon, pak je toto zařízení to, co potřebujete.

Něco málo o schématu. Zařízení začne fungovat po zasunutí mono jacku do zásuvky J1 nebo, vědecky, po zasunutí zástrčky o průměru 6,35 mm (1/4 palce). Když se záporný kontakt baterie sepne přes jack na záporné napětí, zařízení začne pracovat. Také s dalším kontaktem této zástrčky je vstupní signál přiváděn na odpor R1, který zajišťuje vysokou vstupní podporu zařízení. Kondenzátor C2 provádí úpravu frekvence, ořezává frekvence vyšší než je zvukový rozsah. Rezistory R2-R4 zajistí potřebné zapojení na hradle tranzistoru s efektem pole.

Tato konstrukce má stagnující tranzistor s efektem pole KP303 s indexem E. Pokud zvolíte tranzistor s jiným indexem, možná budete muset změnit hodnoty rezistorů R3 a R4. Rezistor R5 je zapojen do zesilovací kaskády, ze které je zvukový signál snímán kondenzátorem C5 přes odpor R7 a přiváděn na vstup zvukové karty počítače.

Dioda VD1 v obvodu má funkci ochrany proti přítomnosti přepětí, fragmentů Designové vlastnosti Připojením baterie Krona se tato možnost nevypne. Když je pravděpodobnější, že germanium bude stagnovat, výsledný pokles napětí bude menší. Ale to není vůbec kritické, může být nahrazeno nějakou nízkoenergetickou křemíkovou diodou, například KD521, KD522, 1N4148 atd.

Zařízení je sestaveno na desce z jednokuličkového fóliového textolitu o rozměrech 47x26mm. Výplata za program Dip Trace bude nastavena níže. Případně se obejdete bez přípravy platby a vše posbíráte na univerzální montážní desce (stejné jako u nákupní karty) stejné velikosti.

Tělo zařízení je vyrobeno z jednokuličkového plošného spoje pro trvalé stínění boosteru.

Rozměry detailů jsou následující:
- stěny sudu 60x50 mm – 2 kusy
- Přední stěna 50x30 mm - 1 kus
- Zadní stěna 46x30 mm – 1 kus. Velikost 46 mm není kritická, lze ji změnit z 50 mm na 35 mm. Před instalací baterie by mělo být vše ponecháno na místě.
- dno a stěny v rozkroku 55x30 mm

Stěny těla jsou připájeny pájkou. Fólie na všech stěnách může skončit uprostřed těla. Dávejte pozor, abyste desku plošných spojů nepřehřáli, protože fragmenty fólie lze snadno odstranit.

Všechny stěny, kromě zadních, jsou vpředu svařeny dohromady. Dále jsou vyvrtány otvory pro zdířku o průměru 10 mm, otvor pro záchranné dráty, zde o průměru 3 mm, a také na zadní stanici pro stíněnou zdířku s minijackem.

Také v místě, kde je zajištěna zadní stěna, je k povrchu připájen držák. Miláček, spodní část zadní stěny je vložena do jaku.

Poté budete muset nalepit růži pro „korunu“. Než promluvím, co se dá vzít z koruny, kterou už mám připravenou, jak budu v budoucnu platit. Celou tuto růžici přilepte horkým lepidlem na zadní stranu přední stěny. Je důležité, abyste konektor připojili z kontaktů, aniž byste se dotkli fólie pouzdra.

Pár slov k instalaci:
Pro zlepšení čitelnosti obvodů se podíváme na napájení se dvěma páry koncových tranzistorů s efektem pole a životností ±45 Art.
Jako první krok se pokusíme „zapájet“ zenerovy diody VD1 a VD2 se špatnou polaritou (správné spínání je znázorněno na obrázku 11). Je vidět mapa napětí, zobrazená na baby 12.

Malyunok 11 Pinout zenerových diod BZX84C15 (včetně stejného pinoutu na diodách).

Malyunok 12 Mapa napětí napětí v případě nesprávné instalace zenerových diod VD1 a VD2.

Tyto zenerovy diody jsou nutné k vytvoření životního napětí provozního zesilovače a jeho převedení na 15 včetně prostřednictvím těch, jejichž napětí je optimální pro tento provozní zesilovač. Efektivitu bez ztráty výkonu šetří napájecí zdroj a zároveň pořadí jmenovitých hodnot je stát podél vedení - při 12 V, při 13 V, při 18 V (nebo ne více než 18 V). Při nesprávné instalaci bude mít výměna potřebného životního napětí za následek pokles napětí na jednotce n-p přechody stabilní diody. Průtok je stále regulován normálně, konstantní napětí na výstupu posilovače výkonu je nízké, výstupní signál je konstantní.
Je také možné, že diody VD3 a VD4 jsou nainstalovány nesprávně. V tomto případě jsou řetězce klidně omezeny hodnotami rezistorů R5, R6 a mohou dosáhnout kritické hodnoty. Signál na výstupu boosteru bude stačit k zahřátí koncových tranzistorů, což určitě způsobí jejich přehřátí a booster vypadne z provozu. Mapa napětí a průtoku pro tento obvod je znázorněna na obrázcích 13 a 14.

Malyunok 13 Mapa napájecího napětí v případě nesprávné instalace diod tepelné stabilizace.

Malyunok 14 Mapa průtoků boosteru v případě nesprávné instalace termostabilizačních diod.

Dalším oblíbeným trikem k instalaci může být nesprávná instalace tranzistorů přiřazených ke kaskádě (ovladačů). Mapa napěťového boosteru u tohoto typu je na obrázku 15. U tohoto typu jsou tranzistory koncové kaskády zcela uzavřeny a na výstupu boosteru není slyšet žádný zvuk a Úroveň konstantního napětí je tak blízko jako možné na nulu.

Malyunok 15 Mapa napětí pro nesprávnou instalaci tranzistorů v kaskádě ovladačů.

Dalším nejbezpečnějším problémem je, že tranzistory jsou špatně umístěny ve fázi budiče a pinout je také špatně umístěn v důsledku toho, co je aplikováno na připojení tranzistorů VT1 a VT2, což je pravda a funguje v éterickém režimu opakování iv. V tomto okamžiku je napětí přes koncovou kaskádu závislé na poloze motoru ladícího odporu a může být od 10 do 15 A, takže v každém případě je nutné znovu vykonstruovat life block a znovu zahřát koncové tranzistory. Baby 16 ukazuje trysky se střední polohou nastavovacího odporu.

Malyunok 16 Mapa proudů, pokud jsou tranzistory stupně driveru nainstalovány nesprávně, je také zmatené pinout.

Je nepravděpodobné, že se vám podaří připájet výstup koncových polních tranzistorů IRFP240 - IRFP9240 a bude zcela běžné je zaměnit na jejich místa. V případě instalace diod do tranzistorů nastává obtížná situace - napětí, které je k nim přiváděno, může být polaritou jejich minimální podpory, která generuje maximální napětí z bloku života Aby rychle zapáchala, bude hořet více a ležet dolů díky štěstí a fyzikálním zákonům.
Ohňostroj na desce mohl být ještě z jednoho důvodu - prodávané zenerovy diody 1,3 W blikají v balení podobném diodám 1N4007, takže před instalací zenerových diod na desku je důležité si uvědomit smrad v černém pouzdře s nápisy na těle. Při instalaci je výměna stabilizačních diod provozního napětí provozního zesilovače obklopena hodnotami rezistorů R3 a R4 a vlastním živým proudem provozního zesilovače. V každém případě je velikost výstupního napětí výrazně větší než maximální napájecí napětí pro daný operační zesilovač, které je větší než výstup ze strany těla samotného operačního zesilovače, a pak konstantní Na jeho výstupu se může objevit napětí, což způsobí, že se na výstupu samotného zesilovače napětí objeví konstantní napětí. Občas dojde ke ztrátě koncové kaskády.
Nakonec pár slov o hodnotách rezistorů R3 a R4, které závisí na napájecím napětí. 2,7 kOhm je nejuniverzálnější, při živém napájení ±80 V (pouze při napětí 8 Ohm) tyto odpory odvedou cca 1,5 W, takže je potřeba ho vyměnit za odpor 5,6 kOhm nebo 6,2 kOhm, co snížit? viditelnost tepelná únava až 0,7W.

Vnější vzhledúpravy posilovače napětí jsou zobrazeny na fotografiích níže:

Sud s medem se stal příliš prázdným, než aby se na něj dala nacpat lžička medu.
Vpravo tranzistory s efektem pole IRFP240 a IRFP9240, které se používají v boosterech, byly vydány distributorem International Rectifier (IR), který více respektoval kvalitu vyráběných produktů. Hlavním problémem těchto tranzistorů je, že zápach byl izolován pro použití v zařízeních zachraňujících život, ale ukázalo se, že je zcela vhodný pro zvukem poháněná zařízení. Zvýšený respekt Mezinárodní usměrňovač do počtu součástek, které se uvolní ze strany, umožnil nevibrační výběr tranzistorů zapnout paralelně s řadou tranzistorů, aniž by to bylo ovlivněno variabilitou charakteristik tranzistorů - rozdíl nepřesáhla 2 %, což bylo zcela přijatelné.
Dnes jsou tranzistory IRFP240 a IRFP9240 vyráběny společností Vishay Siliconix, protože není tak důležité věnovat pozornost produktům, které se uvolňují, a parametry tranzistorů se staly specifičtějšími pro životní účely - distribuce „vysokého výkonu“ tranzistorů jednoho Tato šarže přesahuje 15 %. To zahrnuje paralelní spínání bez dopředné volby a počet testovacích tranzistorů pro výběr 4 však přesahuje několik desítek kopií.
V souvislosti s tím musíme před složením tohoto zesilovače nejprve pochopit, jakou značku tranzistoru můžete získat. Pokud vaše obchody prodávají Vishay Siliconix, důrazně se doporučuje, abyste si na tento doplněk dávali pozor – riskujete, že utratíte spoustu peněz a nedostanete nic.
Práce z vývoje „VERZE 2“, jejíž zvýšená síla a dostupnost slušných a levných tranzistorů s efektem pole pro koncový stupeň, však nad současnou cenou obvodů začala trochu blednout. Výsledkem bylo modelování „VERZE 3“, což je vikoryst náhrada tranzistorů s efektem pole IRFP240 - IRFP9240 od ​​Vishay Siliconix, bipolární dvojice TOSHIBA - 2SA1943 - 2SC5200, která je i dnes zcela vyhovující noi yakosti.
Principiální schéma Nová verze zesilovače byla odstraněna dodatečným zpracováním „VERZE 2“ a byla provedena změna koncového stupně umožňující použití tranzistorů s efektem pole. Principiální schéma je uvedeno níže:

Principiální schéma s vykoristanny tranzistory s efektem pole jako opakovače ZBILSHITI

V této verzi jsou tranzistory s efektem pole uloženy, ale jsou použity jako opakující se napětí, což zcela narušuje stupeň budiče. Do zakhistického systému bylo zavedeno malé pozitivní spojení, které umožňuje eliminovat probuzení pacientova úsilí mezi úkoly zakhisty.
Deska je vyvíjena v procesu vývoje, přibližně výsledky skutečných vimirů a prototyp desky vypadá jako opad listí a mezitím je možné vytvořit harmonogram odstraňování THD vimirvania, MICRO-CAP. Můžete si přečíst zprávu o tomto programu.